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IXTY08N100D2 N Channel MOSFET IC 1000 V 800mA Tc 60W Tc Surface Mount TO-252AA

IXTY08N100D2 N Channel MOSFET IC 1000 V 800mA Tc 60W Tc Monture de surface TO-252AA

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    IXTY08N100D2

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    Le système d'exploitation de l'appareil doit être équipé d'un système d'exploitation de l'appareil

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    qui doit être équipé d'un système d'exploitation de l'appareil.

  • Type de FET
    N-canal
  • Voltage d'évacuation à la source (Vdss)
    Pour l'électricité
  • Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C
    Pour les véhicules à moteur à combustion
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    21 Ohm @ 400 mA, 0 V
  • Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs
    14.6 nC @ 5 V
  • Vgs (maximum)
    ± 20 V
  • Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds
    325 pF @ 25 V
  • Caractéristique de FET
    Mode d'épuisement
  • Lieu d'origine
    Originaux
  • Nom de marque
    Original
  • Certification
    Original
  • Numéro de modèle
    IXTY08N100D2
  • Quantité de commande min
    1
  • Prix
    Negotiation
  • Détails d'emballage
    boîte en carton
  • Délai de livraison
    3-4 jours
  • Conditions de paiement
    TT
  • Capacité d'approvisionnement
    100

IXTY08N100D2 N Channel MOSFET IC 1000 V 800mA Tc 60W Tc Monture de surface TO-252AA

Les données sont fournies par les fournisseurs d'accès à l'information.
 
IXTY08N100D2 sont issus deInventaire d'usine, s'il vous plaît vérifier vos demandes et s'il vous plaît contactez-nous avec le prix cible.
 
Les spécifications de Le système de contrôle de l'équipement doit être conforme à l'annexe II.
 

Le typeDéfinition
CatégorieProduits à base de semi-conducteurs discrets
 Transistors et appareils électroniques
 Les FET, les MOSFET
 Les FET simples et les MOSFET
MfrIXYS
SérieÉpuisement
Le paquetTuyaux
Statut du produitActif
Type de FETN-canal
TechnologieMOSFET (oxyde de métal)
Voltage d'évacuation à la source (Vdss)Pour l'électricité
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°CPour les véhicules à moteur à combustion
Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs21 Ohm @ 400 mA, 0 V
Vgs(th) (maximum) @ Id-
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs14.6 nC @ 5 V
Vgs (maximum)± 20 V
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds325 pF @ 25 V
Caractéristique FETMode d'épuisement
Dissipation de puissance (max)60 W (Tc)
Température de fonctionnement-55°C à 150°C (TJ)
Type de montageMonture de surface
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseurTO-252AA
Emballage / boîtierTO-252-3, DPAK (2 pistes + onglet), SC-63
Numéro du produit de baseLe numéro IXTY08

 
Caractéristiques duLe système de contrôle de l'équipement doit être conforme à l'annexe II.
 
• Mode activé normalement
• les personnes âgéesPaquetage international standardisé
• Les époxyde de moulage sont conformes à UL94V-0Classification de la flammabilité
 
Applications deLe système de contrôle de l'équipement doit être conforme à l'annexe II.
 
• Amplificateurs audio
• Circuits de démarrage
• Circuits de protection
• Générateurs de rampe
• Les régulateurs actuels
• Charges actives
 
Avantages supplémentairesLe système de contrôle de l'équipement doit être conforme à l'annexe II.
 
• Facile à monter
• Économie d'espace
• Densité de puissance élevée
 
Classifications environnementales et d'exportationLe système de contrôle de l'équipement doit être conforme à l'annexe II.
 

AttributDéfinition
Statut de la réglementation RoHSConforme à la norme ROHS3
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)1 (sans limite)
Statut REACHREACH Non affecté
Nom de la banqueEAR99
HTSUS8541.29.0095

 
IXTY08N100D2 N Channel MOSFET IC 1000 V 800mA Tc 60W Tc Monture de surface TO-252AA 0